二极管开关过程的损耗问题

二极管的瞬态开关过程是pn结电容器的充放电过程。当二极管从截止开关切换到导通时，它相当于电容器的充电。当二极管从导通切换到截止时，它相当于电容器的放电。二极管结电容越小，充放电时间越短，过渡过程越短，二极管的瞬态开关特性越好。
实际功率二极管在不同的地方使用，结果不一样，根据书的校正和连续的两块流动来分析，我可以组织它，效果比较好。有兴趣的同志可以去看一本非常详细和详细的书。
整个开关过程本质上考虑了结电容器的工作。如果没有电容器，整个开关过程是理想的，相当于一个理想的开关。
补充（引用未知作者的在线图纸和过程分析）：
由于当二极管被施加到正向电压时，载流子的不断扩散。当外加电压P N孔扩散区，N区到P区的电子扩散，这样，不仅势垒区（耗尽）缩小，使存储在P区相当数量的载体，存储电子，和记忆中的N区的孔，他们都是非平衡少数载流子，如下图所示。
在储存电荷消失之前，pn结仍处于正向偏压，即势垒区仍然很窄，pn结的电阻仍然很小，与RL相比可以忽略不计，所以此时反向电流为。VD表示pn结两端的正向压降，典型的是VR。在此期间，IR基本上保持不变，主要由VR和RL决定。在时间t后，p区和n区的电荷明显减少，势垒区变宽，反向电流逐渐减小到正常反向饱和电流的值。经过一段时间的TT，二极管变成一个截止。正如我们所看到的，反向恢复过程发生在二极管的开关过程中。本质上，反向恢复时间是存储电荷由于电荷存储效应而消失的时间。